4.11: Movilidad
- Page ID
- 84531
\( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \) \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)\(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)\(\newcommand{\AA}{\unicode[.8,0]{x212B}}\)
Una de las simplificaciones más importantes del modelo Drude es la movilidad, definida como la relación entre el campo eléctrico y la velocidad de deriva.
\[ v_{d} = \mu \epsilon \nonumber \]
Usando la Ecuación (4.11.3) obtenemos
\[ \mu = \frac{q\tau_{m}}{m} \nonumber \]
La movilidad es una métrica muy común para la calidad de los materiales de los transistores. Por lo general, llega a varios miles\(cm^{2}/Vs\) en materiales de transistores de alta calidad como GaAs o InP. Pero como hemos visto, la velocidad real del portador de carga,\(v_{F}\), tiene poca relación con el campo eléctrico. Entonces, ¿por qué los parámetros de Drude como la movilidad y la conductividad son cantidades útiles?