10.1: Introducción

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El transistor de efecto de campo, o FET, es un dispositivo semiconductor que sirve como alternativa al transistor de unión bipolar. Los FET están disponibles en dos tipos amplios: el FET de unión, o JFET, y el FET semiconductor de óxido metálico, o MOSFET.

Lo mejor es no pensar en los FET como mejor o peor que el BJT. Tienen diferentes características y se prestan a aplicaciones donde el rendimiento de BJT podría estar deseando. Lo inverso también es cierto y para algunas aplicaciones el uso juicioso de una combinación de BJT y FET puede producir un rendimiento superior en comparación con cualquiera de los dispositivos utilizados por sí solos. Al igual que las variantes NPN y PNP del BJT, los FET vienen en dos “sabores”: el tipo Nchannel y el tipo de canal P. Primero cubriremos los JFET y luego discutiremos los MOSFET en capítulos posteriores. En este capítulo cubriremos la estructura interna del JFET, su teoría de operación y técnicas de sesgo. En el siguiente capítulo discutiremos los amplificadores JFET de señal pequeña; tanto los amplificadores de voltaje como los seguidores de voltaje.

El JFET es fundamentalmente diferente de un transistor de unión bipolar. Mientras que el JFET, al igual que el BJT, se basa en la unión PN para su funcionamiento, el JFET se modela como una fuente de corriente controlada por voltaje mientras que el BJT se modela como una fuente de corriente controlada por corriente. Además, el BJT se basa en una unión base-emisor con polarización directa para un funcionamiento adecuado mientras que el JFET logra el control de corriente a través de una unión polarizada inversa. En consecuencia, los circuitos de polarización JFET tienden a ser incompatibles con los esquemas de polarización BJT y un dispositivo no se puede intercambiar por el otro.