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10.5: Resumen

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    83406
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    El transistor de efecto de campo de unión es un dispositivo completamente diferente del transistor de unión bipolar. En lugar de depender de una unión PN con polarización directa para controlar la corriente, el JFET utiliza una unión PN polarizada inversa. Además, el JFET utiliza control de voltaje en lugar del control de corriente del BJT. A pesar de esto, una familia de curvas de drenaje JFET ofrece similitud con las curvas de colector de BJT, exhibiendo tres regiones: óhmica, corriente constante y ruptura.

    El modelo DC de un JFET incluye una fuente de corriente controlada por voltaje en el drenaje y una resistencia muy, muy grande\(R_{GS}\), de puerta a fuente. Esta resistencia modela la de una unión PN con polarización inversa. La ecuación característica del JFET es la ley cuadrada y, en consecuencia, es mucho más suave en pendiente que la ecuación correspondiente para un BJT. La corriente máxima producida por un JFET es\(I_{DSS}\) y ocurre cuando\(V_{GS} = 0\) V. siempre\(V_{GS}\) debe ser negativa para asegurar el correcto funcionamiento y todos los valores negativos conducirán a una corriente de drenaje menor que\(I_{DSS}\). Una vez que la puerta-fuente se vuelve lo suficientemente negativa (at\(V_{GS(off)}\)), la corriente de drenaje va a cero.

    Existen varios métodos para sesgar a los JFET. Quizás el método más sencillo es aplicar un potencial fijo a la puerta mientras se pone a tierra la fuente. Esto se llama polarización de voltaje constante y es la polarización menos estable en términos de punto Q. La autopolarización utiliza un mínimo de componentes y ofrece una estabilidad modesta. Se trata de un sesgo decente de propósito general. La adición de una fuente de alimentación negativa a la resistencia de fuente conduce a la topología de polarización combinada. Este circuito ofrece mejoras en la estabilidad sobre la autopolarización. El sesgo más estable es el sesgo de corriente constante. Esta forma se basa en un BJT para establecer una corriente muy estable.

    10.5.1: Preguntas de revisión

    1. Comparar el funcionamiento del JFET con el BJT.

    2. Compare las regiones de las curvas de drenaje JFET con las de las curvas de colector BJT.

    3. ¿Por qué se refiere al JFET como un dispositivo de ley cuadrada?

    4. Clasificar los esquemas de sesgo presentados en este capítulo en términos de estabilidad del punto Q.

    5. ¿Qué es el voltaje de pinch-off?

    6. ¿En qué se diferencia el modelo de polarización de CC JFET del modelo BJT DC?


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