11.8: Ejercicios
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11.8.1: Problemas de análisis
1. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{1}\), determinar\(Z_{in}\) y\(A_v\). \(I_{DSS}\)= 12 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 15 V,\(R_G\) = 220 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2 k\(\Omega\),\(R_L\) = 3.3 k\(\Omega\),\(R_S\) = 330\(\Omega\).
2. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{1}\), determinar\(Z_{in}\) y\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 50 mV,\(I_{DSS}\) = 15 mA,\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_{DD}\) = 20 V,\(R_G\) = 270 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2 k\(\Omega\),\(R_L\) = 6.8 k\(\Omega\),\(R_S\) = 270\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{1}\)
3. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{2}\), determinar\(Z_{in}\) y\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 60 mV,\(I_{DSS}\) = 10 mA,\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_{DD}\) = 20 V,\(V_{SS}\) = −6 V,\(R_G\) = 270 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2 k\(\Omega\),\(R_L\) = 4 k\(\Omega\),\(R_S\) = 1.8 k\(\Omega\),\(R_{SW}\) = 200\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{2}\)
4. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{2}\), determinar\(Z_{in}\) y\(A_v\). \(I_{DSS}\)= 12 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 18 V,\(V_{SS}\) = −4 V,\(R_G\) = 330 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2.2 k\(\Omega\),\(R_L\) = 10 k\(\Omega\),\(R_S\) = 3 k\(\Omega\),\(R_{SW}\) = 100\(\Omega\).
5. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{3}\), determinar\(Z_{in}\) y\(A_v\). \(I_{DSS}\)= 12 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 18 V,\(V_{EE}\) = −4 V,\(R_G\) = 390 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2.2 k\(\Omega\),\(R_E\) = 1 k\(\Omega\),\(R_L\) = 20 k\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{3}\)
6. Para el amplificador de la Figura\(\PageIndex{3}\), determinar\(Z_{in}\) y\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 70 mV,\(I_{DSS}\) = 12 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 18 V,\(V_{EE}\) = −4 V,\(R_G\) = 390 k\(\Omega\),\(R_D\) = 2.2 k\(\Omega\),\(R_L\) = 20 k\(\Omega\).
7. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{4}\), determinar\(Z_{in}\) y\(A_v\). \(I_{DSS}\)= 12 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 10 V,\(R_G\) = 220 k\(\Omega\),\(R_L\) = 3.3 k\(\Omega\),\(R_S\) = 330\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{4}\)
8. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{4}\), determinar\(Z_{in}\) y\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 200 mV,\(I_{DSS}\) = 15 mA,\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_{DD}\) = 12 V,\(R_G\) = 270 k\(\Omega\),\(R_L\) = 1.8 k\(\Omega\),\(R_S\) = 270\(\Omega\).
9. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{5}\), determinar\(Z_{in}\) y\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 100 mV,\(I_{DSS}\) = 10 mA,\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_{DD}\) = 15 V,\(V_{SS}\) = −6 V,\(R_G\) = 470 k\(\Omega\),\(R_L\) = 4 k\(\Omega\),\(R_S\) = 1.8 k\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{5}\)
10. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{5}\), determinar\(Z_{in}\) y\(A_v\). \(I_{DSS}\)= 18 mA,\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(V_{DD}\) = 14 V,\(V_{SS}\) = −6 V,\(R_G\) = 360 k\(\Omega\),\(R_L\) = 10 k\(\Omega\),\(R_S\) = 1 k\(\Omega\).
11. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{6}\), determinar\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 100 mV,\(r_{DS(on)}\) = 50\(\Omega\),\(r_{DS(off)}\) = 1 M\(\Omega\),\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_C\) = −6 V,\(R_G\) = 270 k\(\Omega\),\(R_D\) = 6.8 k\(\Omega\).
12. Para el circuito de la Figura\(\PageIndex{6}\), determinar\(V_{out}\). \(V_{in}\)= 100 mV,\(r_{DS(on)}\) = 75\(\Omega\),\(r_{DS(off)}\) = 750 k\(\Omega\),\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(V_C\) = 0 V,\(R_G\) = 180 k\(\Omega\),\(R_D\) = 5.1 k\(\Omega\).
Figura\(\PageIndex{6}\)
11.8.2: Problemas de Desafío de Diseño
13. Siguiendo el circuito de la Figura\(\PageIndex{2}\), diseñe un amplificador con una ganancia de al menos 4 y una impedancia de entrada de al menos 300 k\(\Omega\). \(R_L\)= 10 k\(\Omega\). El JFET tiene los siguientes parámetros:\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(I_{DSS}\) = 15 mA. Intente usar valores de resistencia estándar.
14. Usando el circuito de la Figura\(\PageIndex{4}\), diseñe un seguidor con una ganancia de al menos 0.7 y una impedancia de entrada de al menos 500 k\(\Omega\). \(R_L\)= 1 k\(\Omega\). El JFET tiene los siguientes parámetros:\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(I_{DSS}\) = 20 mA. Intente usar valores de resistencia estándar.
11.8.3: Problemas de simulación por computadora
15. Utili\(Z_{in}\) g hojas de datos del fabricante, encontrar dispositivos con las siguientes especificaciones (típicas) y verificarlos utilizando las técnicas de medición presentadas en el capítulo anterior. Dispositivo 1:\(V_{GS(off)}\) = −2 V,\(I_{DSS}\) = 15 mA. Dispositivo 2:\(V_{GS(off)}\) = −3 V,\(I_{DSS}\) = 20 mA.
16. Usando el modelo de dispositivo del problema anterior, verifique el diseño del Problema 13.
17. Usando el modelo de dispositivo del Problema 15, verifique el diseño del Problema 14.