12.7: Resumen

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Hay dos tipos de MOSFET: el depleción-mejora o DE-MOSFET y el de mejora solamente o E-MOSFET. Ambos dispositivos se construyen usando una puerta aislada en lugar de una unión PN y ambos dispositivos exhiben una curva característica de ley cuadrada. Al igual que el JFET, los MOSFET se modelan como fuentes de corriente controladas por voltaje. Ambos dispositivos muestran corrientes de puerta muy, muy pequeñas debido a la puerta aislada. Son sensibles a la estática y se deben tomar precauciones al manejarlos para evitar daños por ESD.

El DE-MOSFET exhibe la misma curva característica que el JFET, sin embargo, la curva se extiende hacia el primer cuadrante (modo de mejora). En consecuencia, ya no\(I_{DSS}\) es la corriente de drenaje más grande posible, sino que representa un término medio. El DE-MOSFET puede utilizar todos los prototipos de polarización que se utilizan con JFET, incluyendo autopolarización, polarización de corriente constante y polarización de combinación. Debido a su capacidad de cuadrante dual, también son posibles otros tipos de polarización, incluyendo polarización cero y divisor de voltaje, ambos de los cuales son variaciones en la polarización de voltaje constante.

El E-MOSFET opera solo en el primer cuadrante (modo de mejora). En comparación con el DE-MOSFET, su curva característica es desplazada positiva tal que\(V_{GS(off)}\) es ahora\(V_{GS(th)}\), y\(I_{DSS}\) significa la corriente de fuga en estado apagado. Los MOSFET E están disponibles en variantes de baja potencia y alta potencia. Las versiones de alta potencia utilizan una estructura interna alternativa que permite que la corriente de drenaje fluya verticalmente en lugar de horizontalmente. Esto da como resultado una capacidad de transporte de corriente muy alta y valores muy bajos para\(r_{DS(on)}\).

12.7.1: Preguntas de revisión

1. ¿Cuáles son las diferencias entre JFET y MOSFET?

2. ¿Cuáles son las diferencias entre los de-MOSFET y los E-MOSFET?

3. ¿Por qué los MOSFET a veces se denominan “Puerta Aislada” o IGFET?

4. ¿Cómo se compara el modelo de polarización DC del MOSFET con el del BJT?

5. ¿Qué circuitos de polarización están disponibles para su uso con el DE-MOSFET?

6. ¿Qué circuitos de polarización están disponibles para su uso con el E-MOSFET?

7. ¿Qué es la construcción de “trincheras” y dónde se utiliza?

8. Explique las precauciones típicas que se toman al manipular MOSFET y por qué son necesarias.