13.4: Resumen

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Los dispositivos DE y E-MOSFET se pueden usar para crear amplificadores de voltaje de fuente comunes y seguidores de voltaje de drenaje comunes. Los amplificadores de fuente comunes pueden estar inundados o no inundados, dependiendo de la forma de polarización utilizada. Si el tipo de polarización no utiliza una resistencia de fuente, no está disponible el pantanado. Esto incluye polarización cero para el DE-MOSFET y polarización del divisor de voltaje para el MOSFET DE y E-MOSFET.

Al igual que sus homólogos JFET, los amplificadores de fuente común MOSFET exhiben ganancia de voltaje de inversión moderada, impedancia de entrada muy alta e impedancia de salida moderada. La impedancia de entrada es una función de la configuración de resistencia de polarización situada frente a la puerta ya que la impedancia que mira dentro de la puerta en sí es muy, muy alta a bajas frecuencias.

Los seguidores de drenaje común MOSFET también se comportan de manera similar a la versión JFET. Nuevamente vemos una ganancia de voltaje no inversora que se aproxima a la unidad, una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja. Cuanto mayor sea la transconductancia, más cerca estará la ganancia de la unidad y menor será la impedancia de salida.

13.4.1: Preguntas de revisión

1. ¿Qué tan bien se compara el amplificador de voltaje MOSFET con su contraparte JFET?

2. ¿Qué tan bien se compara el seguidor fuente MOSFET con su contraparte JFET?

3. ¿Cuáles son las diferencias prácticas entre un amplificador de voltaje que usa un DEMOSFET versus el uso de un E-MOSFET?

4. Se ha afirmado que un seguidor fuente no se puede hacer usando un DE-MOSFET estándar sesgado a cero. ¿Por qué es esto?

5. Se ha afirmado que un amplificador de voltaje inundado no se puede hacer usando un divisor de voltaje estándar polarizado E-MOSFET. ¿Por qué es esto?