3.13: Otras Tecnologías de Diodos

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Diodos SiC

Los diodos fabricados a partir de carburo de silicio son capaces de operar a alta temperatura a 400 ^o C. Esto podría ser en un ambiente de alta temperatura: tala de pozos de petróleo en pozo de fondo, motores de turbina de gas, motores de automóviles. O bien, operar en un ambiente moderado a alta disipación de potencia. Las aplicaciones nucleares y espaciales son prometedoras ya que el SiC es 100 veces más resistente a la radiación en comparación con el silicio. El SiC es un mejor conductor de calor que cualquier metal. Por lo tanto, el SiC es mejor que el silicio para conducir el calor. El voltaje de ruptura es de varios kV. Se espera que los dispositivos de alimentación de SiC reduzcan las pérdidas de energía eléctrica en la industria eléctrica en un factor de 100.

Diodo de polímero

Diodos basados en productos químicos orgánicos se han producido mediante procesos de baja temperatura. Los polímeros conductores ricos en agujeros y ricos en electrones pueden ser impresos por inyección de tinta en capas. La mayor parte de la investigación y desarrollo es del LED orgánico (OLED). Sin embargo, el desarrollo de etiquetas RFID (identificación por radiofrecuencia) orgánicas imprimibles de bajo costo está en marcha. En este esfuerzo, se ha operado un rectificador orgánico de pentaceno a 50 MHz. La rectificación a 800 MHz es un objetivo de desarrollo. Se ha delveloped un diodo metálico aislante metálico (MIM) económico que actúa como una cortadora de diodos zener consecutiva. Además, se ha fabricado un dispositivo similar a un diodo de túnel.