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6.1: Introducción a Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada

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    Como se dijo en el último capítulo, hay más de un tipo de transistor de efecto campo. El transistor de efecto de campo de unión, o JFET, utiliza voltaje aplicado a través de una unión PN polarizada inversa para controlar el ancho de la región de agotamiento de esa unión, que luego controla la conductividad de un canal semiconductor a través del cual se mueve la corriente controlada. Otro tipo de dispositivo de efecto de campo, el transistor de efecto de campo de puerta aislada, o IGFET, explota un principio similar de una región de agotamiento que controla la conductividad a través de un canal semiconductor, pero difiere principalmente del JFET en que no hay conexión directa entre el conductor de la puerta y el material semiconductor en sí. Más bien, el conductor de la puerta está aislado del cuerpo del transistor por una barrera delgada, de ahí el término puerta aislada. Esta barrera aislante actúa como la capa dieléctrica de un condensador y permite que el voltaje de puerta a fuente influya electrostáticamente en lugar de por conexión directa en la región de agotamiento.

    Además de elegir entre el diseño de canal N versus canal P, los IGFET vienen en dos tipos principales: mejora y agotamiento. El tipo de agotamiento está más estrechamente relacionado con el JFET, por lo que comenzaremos nuestro estudio de IGFET con él.


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