4.7: Resumen
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Con dispositivos semiconductores y formación de solitones debido a GVD y SPM negativos, podemos usar absorbedores semiconductores similares para modelock los láseres en el régimen de femtosegundos [35]. Los criterios de estabilidad derivados aquí se pueden aplicar tanto a láseres de picosegundos como de femtosegundos. Sin embargo, las características de la dinámica del absorbedor pueden cambiar drásticamente al pasar de pulsos de picosegundos a femtosegundos [36]. Especialmente, la energía de saturación puede depender no solo de la longitud de onda de excitación, sino también del ancho de pulso. Además, puede haber mecanismos de pérdida adicionales para el pulso, por ejemplo debido a la formación de solitones hay pérdidas de filtro adicionales del pulso que se acoplan a la energía del pulso a través del teorema de área. Esto se tiene que tomar en cuenta, antes de aplicar la teoría a los sistemas fs-laser, que se discutirá con más detalle más adelante.
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