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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/10%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_uni%C3%B3n_(JFET)/10.2%3A_Internos_JFET
      A medida que el voltaje a través de la fuente de drenaje aumenta aún más, en algún momento la corriente se saturará, y no se producirán más aumentos en la corriente a pesar de nuevos aumentos en\(V_{D...A medida que el voltaje a través de la fuente de drenaje aumenta aún más, en algún momento la corriente se saturará, y no se producirán más aumentos en la corriente a pesar de nuevos aumentos enVDD yVDS. Usando la Ecuación\ ref {10.1} y el gráfico de la Figura\PageIndex4, determine la corriente de drenaje si el voltaje puerta-fuente es −1 V y las especificaciones JFET sonIDSS = 8 mA yVGS(off) = −2 V.

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