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10.6: Ejercicios
https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/10%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_uni%C3%B3n_(JFET)/10.6%3A_Ejercicios
Para el circuito de la Figura $\PageIndex{4}$ , determinar $I_D$ y $V_{DS}$ . $I_{DSS}$ = 40 mA, $V_{GS(off)}$ = −4 V, $V_{DD}$ = 30 V, $V_{EE}$ = −6 V, $R_G$ = 750 k $\Omega$ , $R_E$ = 500\(\O...Para el circuito de la Figura $\PageIndex{4}$ , determinar $I_D$ y $V_{DS}$ . $I_{DSS}$ = 40 mA, $V_{GS(off)}$ = −4 V, $V_{DD}$ = 30 V, $V_{EE}$ = −6 V, $R_G$ = 750 k $\Omega$ , $R_E$ = 500 $\Omega$ , $R_D$ = 1.8 k $\Omega$ . Usando el circuito de la Figura $\PageIndex{4}$ , se determinan los valores $R_D$ para $R_E$ y $I_D$ para establecer en 5 mA y $V_D$ en 6 V. $I_{DSS}$ = 20 mA, $V_{GS(off)}$ = −4 V, $V_{DD}$ = 32 V, $V_{EE}$ = −10 V, $R_G$ = 390 k $\Omega$ .

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