Buscar Volver arriba Filtrar resultadosUbicaciónIngeniería (1)ClasificaciónTipo de artículoCategoríaGuíaTemaN/AN/AAuthorRebecca Laff & Wendy RuizParis, Ricardo, Raymond, & JohnsonJennifer Paris, Kristin Beeve, & Clint SpringerKrischa Esquivel, Emily Elam, Jennifer Paris, & Maricela TafoyaIrma Isabel González CuadrosJoaquín López HerraizMaría M. Reynoso, Carina E. Magnoli, Germán G. Barros y Mirta S. DemoGlencora BorradaileShow TOCyesnoCover PageyesTOC OnlyCompile but don't publishLicensePublic DomainCC BYCC BY-SACC BY-NC-SACC BY-NDCC BY-NC-NDGNU GPLAll Rights ReservedCC BY-NCGNU FDLTranscludedAutonumber Section Headingstitle with space delimiterstitle with colon delimiterstitle with dash delimitersLicense Version1.01.32.02.53.04.0Incluir datos adjuntosTipo de contenidoDocumentoImagenOtro Buscando enTodos los resultadosAcerca de 1 resultados10.6: Ejercicioshttps://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/10%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_uni%C3%B3n_(JFET)/10.6%3A_EjerciciosPara el circuito de la Figura\PageIndex{4}, determinarI_D yV_{DS}. I_{DSS}= 40 mA,V_{GS(off)} = −4 V,V_{DD} = 30 V,V_{EE} = −6 V,R_G = 750 k\Omega,R_E = 500\(\O...Para el circuito de la Figura\PageIndex{4}, determinarI_D yV_{DS}. I_{DSS}= 40 mA,V_{GS(off)} = −4 V,V_{DD} = 30 V,V_{EE} = −6 V,R_G = 750 k\Omega,R_E = 500\Omega,R_D = 1.8 k\Omega. Usando el circuito de la Figura\PageIndex{4}, se determinan los valoresR_D paraR_E yI_D para establecer en 5 mA yV_D en 6 V.I_{DSS} = 20 mA,V_{GS(off)} = −4 V,V_{DD} = 32 V,V_{EE} = −10 V,R_G = 390 k\Omega.MásMostrar más resultados
