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11.6: Operación de la región óhmica
https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/11%3A_Amplificadores_de_se%C3%B1al_peque%C3%B1a_JFET/11.6%3A_Operaci%C3%B3n_de_la_regi%C3%B3n_%C3%B3hmica
1 Por ejemplo, la ficha de datos de los JFET de la serie J111 que se encuentra en la Figura 10.3.1 muestra valores máximos de 30 $\Omega$ , 50 $\Omega$ y 100 $\Omega$ para los J111, J112 y J113, res...1 Por ejemplo, la ficha de datos de los JFET de la serie J111 que se encuentra en la Figura 10.3.1 muestra valores máximos de 30 $\Omega$ , 50 $\Omega$ y 100 $\Omega$ para los J111, J112 y J113, respectivamente. La ecuación\ ref {11.9} muestra que la resistencia del canal es una función del voltaje puerta-fuente: la resistencia del canal estará en su mínimo $(r_{DS(on)})$ cuando $V_{GS} = 0$ V, y se acerca al infinito cuando $V_{GS}$ es igual $V_{GS(off)}$ .

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