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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/12%3A_FET_semiconductores_de_%C3%B3xido_met%C3%A1lico_(MOSFET)/12.2%3A_El_DE-MOSFET
      Al igual que el JFET, el DE-MOSFET se basa en la idea de modular el flujo de corriente a través del canal drenaje-fuente generando una capa de agotamiento a partir de una tensión puerta-fuente. Es muy...Al igual que el JFET, el DE-MOSFET se basa en la idea de modular el flujo de corriente a través del canal drenaje-fuente generando una capa de agotamiento a partir de una tensión puerta-fuente. Es muy importante observar el signo deVGS en la Ecuación\ ref {12.3}. En modo de mejora, un positivoVGS conducirá a ungm mayor quegm0 debido al doble negativo.

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