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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/12%3A_FET_semiconductores_de_%C3%B3xido_met%C3%A1lico_(MOSFET)/12.1%3A_Introducci%C3%B3n
      Tienen ciertas ventajas sobre los BJT de potencia, incluyendo una mayor velocidad y un coeficiente negativo de transconductancia de temperatura, lo que significa que es menos probable que sufran inest...Tienen ciertas ventajas sobre los BJT de potencia, incluyendo una mayor velocidad y un coeficiente negativo de transconductancia de temperatura, lo que significa que es menos probable que sufran inestabilidades térmicas como el acaparamiento de corriente. Esta capa de aislamiento conducirá a una resistencia de entrada muy, muy alta debido a la corriente de compuerta extremadamente baja, pero también conducirá al problema de susceptibilidad a ESD.

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