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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/15%3A_Transistores_bipolares_de_puerta_aislada_(IGBT)/15.3%3A_Interpretaci%C3%B3n_de_la_Hoja_de_Datos_IGBT
      A temperatura ambiente y 12.5 amperios de corriente de colector, el retardo de encendido más el tiempo de subida se especifica como aproximadamente 31 nanosegundos, mientras que el retardo de apagado ...A temperatura ambiente y 12.5 amperios de corriente de colector, el retardo de encendido más el tiempo de subida se especifica como aproximadamente 31 nanosegundos, mientras que el retardo de apagado y el tiempo de caída es de casi 110 nanosegundos. De acuerdo con la hoja de datos del dispositivo, el voltaje de saturación colector-emisor normalmente es de 2.1 voltios (3.2 voltios como máximo) con una corriente de colector de 25 amperios.

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