En consecuencia, los E-MOSFET de potencia tienden a ser favorecidos a niveles de potencia bajos y moderados cuando se necesitan altas velocidades de conmutación y los BJT tienden a preferirse cuando e...En consecuencia, los E-MOSFET de potencia tienden a ser favorecidos a niveles de potencia bajos y moderados cuando se necesitan altas velocidades de conmutación y los BJT tienden a preferirse cuando el costo es un componente importante en diseños más modestos. Como tal, los IGBT encuentran uso en una amplia gama de aplicaciones que incluyen inversores de potencia, fuentes de alimentación ininterrumpida, calentadores de inducción, sistemas de energía solar, controladores de motor, etc.
