Esto se puede lograr a través de una técnica de difusión o implantación de iones que se aplica repetidamente a una sola pieza de cristal de silicio. De hecho, es muy posible tener una región de un tip...Esto se puede lograr a través de una técnica de difusión o implantación de iones que se aplica repetidamente a una sola pieza de cristal de silicio. De hecho, es muy posible tener una región de un tipo completamente incrustada dentro de una región del tipo opuesto como veremos en capítulos posteriores. Las uniones PN se pueden encontrar en una variedad de dispositivos, incluidos los transistores de unión bipolar (BJT) y los transistores de efecto de campo de unión (JFET).
