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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/04%3A_Transistores_de_uni%C3%B3n_bipolar_(BJT)/4.5%3A_Modelo_Ebers-Moll
      En aras de la integridad, el voltaje transversalRC es de 4.65 voltios,VCB es de 9.65 voltios yIE es de 4.6965 mA. Dado un ciclo de producción típico de transistores, este circuito pod...En aras de la integridad, el voltaje transversalRC es de 4.65 voltios,VCB es de 9.65 voltios yIE es de 4.6965 mA. Dado un ciclo de producción típico de transistores, este circuito podría exhibir corrientes de colector de menos de 4 mA a más de 10 mA. Este aumento de la corriente tenderá a causar un aumento adicional en la disipación de potencia y la temperatura, lo que provoca un aumento adicional enβ, y los ciclos del proceso.

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