Buscar Volver arriba Filtrar resultadosUbicaciónIngeniería (1)ClasificaciónTipo de artículoCategoríaGuíaTemaN/AN/AAuthorRebecca Laff & Wendy RuizParis, Ricardo, Raymond, & JohnsonJennifer Paris, Kristin Beeve, & Clint SpringerKrischa Esquivel, Emily Elam, Jennifer Paris, & Maricela TafoyaIrma Isabel González CuadrosJoaquín López HerraizMaría M. Reynoso, Carina E. Magnoli, Germán G. Barros y Mirta S. DemoGlencora BorradaileShow TOCyesnoCover PageyesTOC OnlyCompile but don't publishLicensePublic DomainCC BYCC BY-SACC BY-NC-SACC BY-NDCC BY-NC-NDGNU GPLAll Rights ReservedCC BY-NCGNU FDLTranscludedAutonumber Section Headingstitle with space delimiterstitle with colon delimiterstitle with dash delimitersLicense Version1.01.32.02.53.04.0Incluir datos adjuntosTipo de contenidoDocumentoImagenOtro Buscando enTodos los resultadosAcerca de 1 resultados12.8: Ejercicioshttps://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Libro%3A_Dispositivos_semiconductores_-_Teoria_y_Aplicacion_(Fiore)/12%3A_FET_semiconductores_de_%C3%B3xido_met%C3%A1lico_(MOSFET)/12.8%3A_EjerciciosPara el circuito de la Figura\PageIndex2, determinarID,VDS yVD. IDSS= 18 mA,VGS(off) = −3 V,VDD = 30 V,VSS = −9 V,RG = 910 kΩ,RS =...Para el circuito de la Figura\PageIndex2, determinarID,VDS yVD. IDSS= 18 mA,VGS(off) = −3 V,VDD = 30 V,VSS = −9 V,RG = 910 kΩ,RS = 1.2 kΩ,RD = 2.7 kΩ. Para el circuito de la Figura\PageIndex7, determinarID,VG yVD. IDSS= 14 mA,VGS(off) = 3 V,VDD = −25 V,VSS = 6 V,RG = 780 kΩ,RS = 2 kΩ,RD = 3.3 kΩ.MásMostrar más resultados