Dado que la densidad de estados por encima de la banda de conducción es muy grande en un semiconductor masivo, un MOSFET convencional entrará en el límite de carga fuerte/metálico para\((V_{GS} – V) >...Dado que la densidad de estados por encima de la banda de conducción es muy grande en un semiconductor masivo, un MOSFET convencional entrará en el límite de carga fuerte/metálico para(VGS–V)>VT, es decir, el número de cargasδN, en el corte es Dado que la dispersión es importante, empleamos el modelo clásico de transporte de carga para relacionar la vida útil del portador de carga con la velocidad, v, y la longitud de la rebanada,δx.
