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    • https://espanol.libretexts.org/Ingenieria/Introduccion_a_la_nanoelectronica_(Baldo)/05%3A_Transistores_de_Efecto_de_Campo/5.15%3A_Problemas
      La longitud del cable es L = 100nm, la capacitancia de la puerta esCG=50 aF por nanómetro de longitud del cable, y la masa de electrones, m, en el cable esm=m0=9.1×1031kg. ...La longitud del cable es L = 100nm, la capacitancia de la puerta esCG=50 aF por nanómetro de longitud del cable, y la masa de electrones, m, en el cable esm=m0=9.1×1031kg. (c) Dado queCOX=CG/(WL), donde W y L son el ancho y largo del canal, respectivamente, muestran que la corriente de saturación en este FET de pozo cuántico balístico viene dada por

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