dondeA es una constante dependiente del tipo de transistor y geometría,q es la carga en un electrón,k es la constante de Boltzmann,T es la temperatura, yV_{go} es el ancho del espa...dondeA es una constante dependiente del tipo de transistor y geometría,q es la carga en un electrón,k es la constante de Boltzmann,T es la temperatura, yV_{go} es el ancho del espacio de energía extrapolado a cero absoluto dividido por la carga de electrones (V_{go} = 1.205voltios para silicio). (Existe desacuerdo entre los autores sobre el exponente deT en Ecuación\ref{eq7.2.1}, con valores algo menores utilizados en algunos desarrollos.
