Más importante, sin embargo, es el hecho de que el ancho de base para la estructura está controlado por una operación de enmascaramiento en lugar de una profundidad de difusión, y es de uno a dos órde...Más importante, sin embargo, es el hecho de que el ancho de base para la estructura está controlado por una operación de enmascaramiento en lugar de una profundidad de difusión, y es de uno a dos órdenes de magnitud mayor que el de un transistor convencional. Una ventaja de la estructura lateral-PNP es que la tensión de ruptura de base a emisor de este dispositivo es igual a la tensión de ruptura de colector a base de los transistores NPN que se forman por el mismo proceso.
