Los transistores de modo de agotamiento normalmente están “encendidos”, pero pueden ser “pellizcados” y mejorados a mayores niveles de corriente de drenaje mediante el voltaje de puerta aplicado, de a...Los transistores de modo de agotamiento normalmente están “encendidos”, pero pueden ser “pellizcados” y mejorados a mayores niveles de corriente de drenaje mediante el voltaje de puerta aplicado, de ahí la designación alternativa de MOSFET de “mejora de agotamiento”. El parámetro “vto” especifica el voltaje de puerta umbral para la conducción MOSFET.
