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    • https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnologia_Electronica/Libro%3A_Circuitos_Electricos_III_-_Semiconductores_(Kuphaldt)/02%3A_Teor%C3%ADa_de_dispositivos_de_estado_s%C3%B3lido/2.10%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_puerta_aislante_(MOSFET)
      El transistor de efecto de campo de puerta aislada (IGFET), también conocido como transistor de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), es una derivada del transistor de efecto de campo (FET). Hoy...El transistor de efecto de campo de puerta aislada (IGFET), también conocido como transistor de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), es una derivada del transistor de efecto de campo (FET). Hoy en día, la mayoría de los transistores son del tipo MOSFET como componentes de circuitos integrados digitales. Aunque los BJT discretos son más numerosos que los MOSFET discretos, el recuento de transistores MOSFET dentro de un circuito integrado puede acercarse a cientos de millones. Las dimension

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