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    • https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnologia_Electronica/Libro%3A_Circuitos_Electricos_III_-_Semiconductores_(Kuphaldt)/04%3A_Transistores_de_uni%C3%B3n_bipolar/4.09%3A_T%C3%A9cnicas_de_sesgo_(BJT)
      La unión base-emisor PN del transistor es una carga que disminuye la tensión de CC caída a través de R 3 , debido a que la corriente de polarización se une con la corriente de R 3 para pasar por R 2 ,...La unión base-emisor PN del transistor es una carga que disminuye la tensión de CC caída a través de R 3 , debido a que la corriente de polarización se une con la corriente de R 3 para pasar por R 2 , alterando la relación divisora anteriormente establecida por los valores de resistencia de R2 y R 3 . Para obtener un voltaje de polarización CC de 2.3 voltios, se deben ajustar los valores de R 2 y/o R 3 para compensar el efecto de la carga de corriente base.

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