Sería bueno desde el punto de vista de los circuitos de control tener transistores de potencia con alta ganancia de corriente, de modo que se necesita mucha menos corriente para el control de la corri...Sería bueno desde el punto de vista de los circuitos de control tener transistores de potencia con alta ganancia de corriente, de modo que se necesita mucha menos corriente para el control de la corriente de carga. De esta manera, hay una ganancia de corriente extremadamente alta (ya que la puerta aislada del IGFET prácticamente no extrae corriente de los circuitos de control), pero la caída de voltaje de colector a emisor durante la conducción completa es tan baja como la de un BJT ordinario.
