El transistor Q 1 al menos tenía la resistencia de 1.5 kΩ del límite R en su lugar para bajar la mayor parte del voltaje de la batería, por lo que su disipación de potencia fue mucho menor que la de Q...El transistor Q 1 al menos tenía la resistencia de 1.5 kΩ del límite R en su lugar para bajar la mayor parte del voltaje de la batería, por lo que su disipación de potencia fue mucho menor que la de Q 2 . Este desequilibrio bruto de disipación de potencia provocó que Q 2 calentara más de Q1 . A medida que aumentaba la temperatura, Q 2 comenzó a pasar más corriente por la misma cantidad de caída de voltaje base-emisor.
