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    • https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnologia_Electronica/Libro%3A_Circuitos_Electricos_III_-_Semiconductores_(Kuphaldt)/05%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_uni%C3%B3n/5.04%3A_Operaci%C3%B3n_en_modo_activo_(JFET)
      En esta simulación, la mayor parte de la acción de control (75 por ciento de la disminución de la corriente de drenaje, de 400 µA a 100 µA) tiene lugar dentro del primer voltaje de voltaje puerta-fuen...En esta simulación, la mayor parte de la acción de control (75 por ciento de la disminución de la corriente de drenaje, de 400 µA a 100 µA) tiene lugar dentro del primer voltaje de voltaje puerta-fuente (de 0 a 1 voltios), mientras que el 25 por ciento restante de la reducción de corriente de drenaje toma otro valor de voltaje completo de señal de entrada.

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