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    • https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnologia_Electronica/Libro%3A_Circuitos_Electricos_III_-_Semiconductores_(Kuphaldt)/06%3A_Transistores_de_efecto_de_campo_de_puerta_aislante/6.01%3A_Introducci%C3%B3n_a_Transistores_de_Efecto_de_Campo_de_Puerta_Aislada
      Otro tipo de dispositivo de efecto de campo, el transistor de efecto de campo de puerta aislada, o IGFET, explota un principio similar de una región de agotamiento que controla la conductividad a trav...Otro tipo de dispositivo de efecto de campo, el transistor de efecto de campo de puerta aislada, o IGFET, explota un principio similar de una región de agotamiento que controla la conductividad a través de un canal semiconductor, pero difiere principalmente del JFET en que no hay conexión directa entre el conductor de la puerta y el material semiconductor en sí.

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