8: Absorbedores Saturables Semiconductores
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Imagen eliminada debido a restricciones de derechos de autor. Consulte: Keller, U., Física láser ultrarrápida, Instituto de Electrónica Cuántica, Instituto Federal Suizo de Tecnología, ETH Hönggerberg—HPT, CH-8093 Zurich, Suiza. Usado con permiso. Figura 8.1: Brecha de Energía, longitud de onda correspondiente y constante de retícula para diversos semiconductores compuestos. Las líneas discontinuas indican transiciones indirectas.
Una estructura absorbente saturable semiconductora típica se muestra en la Figura 8.2. Una heteroestructura semiconductora (aquí Alas/GaAs) se cultiva en una oblea GaAs- (20-40 pares). Los espesores de capa se eligen para que sean un cuarto de onda en la longitud de onda central en la que opera el láser. Estas estructuras actúan como espejo Bragg de cuarto de onda. Encima del espejo de Bragg, se cultiva una capa gruesa de media onda del material de bajo índice (aquí ALAS), que tiene un campo máximo en su centro. Al máximo de campo, se incrusta una capa de masa de un semiconductor compuesto o una estructura de pozo cuántico (MQW) simple o múltiple, que actúa como un absorbedor saturable para la longitud de onda operativa del láser. El espejo absorbedor sirve como uno de los espejos finales en el láser (ver Figura 8.3).
