12.1: Introducción

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\( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \) \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)\(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)\(\newcommand{\AA}{\unicode[.8,0]{x212B}}\)

El MOSFET comparte muchas similitudes con el JFET, incluida una corriente de compuerta muy baja y se modela como una fuente de corriente controlada por voltaje. También está disponible en variedades de canales N y P. A diferencia del JFET, tiene dos variaciones: la variante de modo de empobrecimiento-mejora, o DE-MOSFET; y la variante de modo solo de mejora, o E-MOSFET. Todos los tipos de sesgo discutidos para los JFET funcionarán para los DE-MOSFET, además de algunos otros. Los EMOSFET, por otro lado, requieren nuevos prototipos de polarización.

Para el análisis de CA, se pueden realizar topologías de amplificador de drenaje común y fuente común con DE y EMOSFET. Las ecuaciones para impedancia de entrada, ganancia de voltaje y similares generalmente no se modifican con respecto al JFET. Los MOSFET electrónicos también están disponibles como dispositivos de alimentación. Tienen ciertas ventajas sobre los BJT de potencia, incluyendo una mayor velocidad y un coeficiente negativo de transconductancia de temperatura, lo que significa que es menos probable que sufran inestabilidades térmicas como el acaparamiento de corriente.

Un elemento de importancia práctica es que los MOSFET son muy susceptibles a ESD (descarga electrostática) y se deben tomar precauciones especiales para evitar daños accidentales al dispositivo. A diferencia tanto del JFET como del BJT, el MOSFET no se basa en una unión PN para su funcionamiento. En cambio, utiliza un sistema basado en carga que no es diferente de un condensador. La puerta está, de hecho, aislada del canal. Por esta razón, a veces se le conoce como IGFET, que significa FET de puerta aislada. Esta capa de aislamiento conducirá a una resistencia de entrada muy, muy alta debido a la corriente de compuerta extremadamente baja, pero también conducirá al problema de susceptibilidad a ESD.