5.16: Ejercicios
( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\)
- La impedancia de salida equivalente Thevenin de cada uno de los amplificadores de la Figura 5.12.8 (a) es5Ω, y la impedancia del sistemaR0, es75Ω. Elija los devanados del transformador para la máxima transferencia de potencia. [Ejemplo de Parallels 5.12.4]
- Un inductor espiral se modela como un inductor ideal de10 nH en serie con una5Ω resistencia. ¿En quéQ se encuentra el inductor espiral1 GHz?
- Considera el diseño de unT atenuador50 dB resistivo en un75Ω sistema. [Ejemplo de Parallels 5.5.1]
- Dibujar la topología del atenuador.
- Anote las ecuaciones de diseño.
- Completar el diseño del atenuador.
- Considere el diseño de un atenuador Pi50 dB resistivo en un75Ω sistema. [Ejemplo de Parallels 5.5.1]
- Dibujar la topología del atenuador.
- Anote las ecuaciones de diseño.
- Completar el diseño del atenuador.
- Un20 dB atenuador en un17Ω sistema se corresponde idealmente tanto en la entrada como en la salida. Por lo tanto, no hay reflejos y la potencia entregada a la carga se reduce a20 dB partir de la potencia aplicada. Si se aplica una5 W señal al atenuador, ¿cuánta potencia se disipa en el atenuador?
- Un atenuador Pi resistivo tiene resistencias de derivaciónR1=R2=294Ω y una resistencia en serieR3=17.4Ω. ¿Cuál es la atenuación (en decibelios) y la impedancia característica del atenuador?
- Un atenuador Pi resistivo en un sistema con impedancia característicaZ0 tiene resistencias de derivación igualesR1=R2 y una resistencia en serieR3. Mostrar esoZ0=√(R21R3)/(2R1+R3) y el factor de atenuaciónK=√(R1+Z0)/(R1−Z0). [Comience con la Ecuación (5.5.2).]
- Diseñar un atenuador Pi resistivo con una atenuación de10 dB en un100Ω sistema.
- Diseñar un atenuador Pi3 dB resistivo en un50Ω sistema.
- Un atenuador Pi resistivo tiene resistencias de derivaciónR1=R2=86.4Ω y una resistencia en serieR3=350Ω. ¿Cuál es la atenuación (en decibelios) y la impedancia del sistema del atenuador?
- Derive los parámetros de50Ω dispersión del transformador ideal que se muestra a continuación donde el número de devanados en el lado secundario (Puerto2) es el doble del número de devanados en el lado primario (Puerto1).
Figura5.16.1
- ¿Qué esS11? [Pista: Terminar puerto250Ω y determinar el coeficiente de reflexión de entrada.]
- ¿Qué esS21?
- ¿Qué esS22?
- ¿Qué esS12?
- Derive los parámetros de50Ω dispersión de dos puertos del transformador magnético a continuación. El primario (Puerto1) tiene10 giros, el secundario (Puerto2) tiene25 giros.
Figura5.16.2
- ¿Qué esS11?
- ¿Qué esS21?
- ¿Qué esS22?
- ¿Qué esS12?
- Un híbrido de cuadratura ideal tiene los parámetros de dispersión
S90∘=1√2[0−ȷ10−ȷ001100−ȷ01−ȷ0]
Dibuja el gráfico de flujo de señal del híbrido, etiquetando cada uno de los bordes y asignandoa1,b1, etc., a los nodos. (No comience con el SFG de una red genérica de 4 puertos.) - Un180∘ híbrido ideal tiene los parámetros de dispersión
S180∘=1√2[01−101001−10010110]
Dibuja el gráfico de flujo de señal del híbrido, etiquetando cada uno de los bordes y asignandoa1,b1, etc., a los nodos. (Tenga en cuenta que no comience con el SFG de una red genérica de 4 puertos.) - Se aplica una señal a Puertos2 y3 de un180∘ híbrido, como se muestra en la Figura 5.8.2 (b). Si la señal consiste en un componente diferencial0 dBm y un componente de modo común de10 dBm:
- Determinar la potencia entregada en Puerto1.
- Determinar la potencia entregada en Puerto4. Supongamos que el híbrido no tiene pérdidas.
- Los RFIC de silicio utilizan trayectorias de señal diferenciales para minimizar la introducción de ruido de sustrato. Además, los amplificadores diferenciales son una topología óptima en circuitos polarizados en corriente. Las señales fuera del chip suelen estar en líneas de microcinta y por lo tanto la fuente y la carga, al estar fuera del chip, no son diferenciales. Los circuitos fuera del chip se denominan entonces de extremo único. Usando180∘ híbridos, diagramas y explicaciones, describa una arquitectura de sistema que se acomode a este entorno diferencial mixto y de un solo extremo.
- Considera el híbrido que se muestra en la siguiente figura. Si el número de devanados de Bobinas2 y3 son dos veces el número de devanados de Bobina1, muéstrelo para operación híbrida coincidente2Z2=Z3=8Z0.
Figura5.16.3
- El balun de la Figura 5.9.3 transforma un sistema desequilibrado con una impedancia de sistema deZ0 a un sistema equilibrado con una impedancia de4Z0. La transformación de impedancia real está determinada por el número de devanados de las bobinas. Diseñar un balun del tipo mostrado en la Figura 5.9.3 que transforme un50Ω sistema desequilibrado en un377Ω sistema equilibrado. [Pista: Encuentra la relación de los devanados de las bobinas.]
- Un balun se puede realizar usando un transformador de alambre enrollado, y al cambiar el número de devanados en el transformador es posible lograr la transformación de impedancia, así como la funcionalidad balanceada a desequilibrada. Se requiere500 MHz un balun basado en un transformador magnético para lograr la transformación de impedancia de una impedancia desequilibrada de50Ω a una impedancia equilibrada de200Ω. Si hay20 devanados en el puerto balanceado del transformador de balun, ¿cuántos devanados hay en el puerto desequilibrado del balun?
- Diseñe un divisor de potencia bidireccional de elementos agrupados en un75Ω sistema en1 GHz. Base tu diseño en un divisor de potencia Wilkinson.
- Diseñe un divisor de potencia de tres vías en un75Ω sistema. Base tu diseño en un divisor de potencia Wilkinson usando líneas de transmisión e indica longitudes en términos de longitudes de onda.
- Diseñe un divisor de potencia de tres vías de elementos agrupados en un75Ω sistema en1 GHz. Base tu diseño en un divisor de potencia Wilkinson.
- Un divisor de potencia resistiva es un dispositivo de tres puertos que toma entrada de energía en Port1 y entrega energía en Puertos2 y3 que son iguales; es decir,S21=S31. No obstante, la suma de la potencia en Puertos2 y no3 será igual a la potencia de entrada debido a la pérdida. Diseñe un divisor de potencia75Ω resistivo de tres puertos con entradas coincidentes,S11=0=S22=S33. Es decir, dibujar el circuito resistivo y calcular sus valores de elementos.
- Diseñar un balun basado en un transformador magnético si la carga equilibrada es300Ω y la impedancia desequilibrada es50Ω.
- Dibuja el esquema del balun con la carga e indica la relación de devanados.
- Si el número de devanados en el lado desequilibrado del transformador es20, ¿cuántos devanados hay en el lado desequilibrado?
- Desarrollar el diseño eléctrico de un híbrido rata-raza30 GHz en un50Ω sistema.
- Desarrollar el diseño eléctrico de un híbrido rata-raza30 GHz en un100Ω sistema.
- Diseñe un180∘ híbrido de elementos grumosos1900 MHz usando1 nH inductores.
- Diseñe un híbrido de90∘ elementos grumosos1900 MHz usando1 nH inductores.
- Diseñe un híbrido de90∘ elementos grumosos500 MHz para un75Ω sistema.
- Diseñe un180∘ híbrido de elementos grumosos en impedancias1900 MHz coincidentes con la50Ω fuente y la carga.
5.16.1 Ejercicios por Sección
†desafiante,‡ muy desafiante
§5.11
§5.22,3,4,5
§5.56†,7†,8,9,10†
§5.811†,12†
§5.913†,14†,15†,16†,17‡
§5.1018†,19†
§5.1120†,21†,22†
§5.1223†
§5.1324‡,25†,26†,27,28,29,30
5.16.2 Respuestas a ejercicios seleccionados
- 12.57
- R1=R2=74.5Ω
- 75.48Ω
- 4.95 W
- c)0.6
- −0.6897
- 10 dBm
Figura5.16.4
L=20.7 nH,C1=3.68 pF
C2=1.23 pF,R=75Ω
- relación de devanados es2.45
- Fig 5.13.3 (a)
L=5.92 nH,C=1.19 pF