8.4: Resumen

Última actualización
Guardar como PDF

Page ID: 84811

Franz X. Kaertner
Massachusetts Institute of Technology via MIT OpenCourseWare

\( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \) \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)\(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)\(\newcommand{\AA}{\unicode[.8,0]{x212B}}\)

Los absorbedores reales tienen la ventaja de proporcionar modula- ción de amplitud directa y no explotan cavidades adicionales ni el funcionamiento del resonador cerca de su límite de estabilidad para lograr una conversión efectiva de fase a amplitud. Especialmente en diseños de resonadores compactos, según sea necesario para láseres de alta velocidad de repitición en el rango de GHz, los absorbedores semiconductores saturables con sus bajas energías de saturación y compacidad ofrecen soluciones únicas a este importante desafío tecnológico.

Bibliografía

[1] M. N. Islam, E. R. Sunderman, C. E. Soccolich, I. Bar-Joseph, N. Sauer, T. Y. Chang, y B. I. Miller: “Láser de centro de color Modo pasivo bloqueado por pozos cuánticos”, IEEE J. Quantum Electronics. 25, 2454- 2463 (1989).

[2] S. Tsuda, W. H. Knox, E. A. de Souza, W. Y. Jan, y J. E. Cunning- ham, “Láseres de estado sólido ultrarrápidos de bloqueo de modo con reflectores de Bragg Saturables”, IEEE J. Sel. Arriba. Quantum Electronics 2, 454-464 (1996).

[3] U. Keller,” Semiconductor nonlinearities for solid state laser modelock- ing and Q-switching”, en Semiconductors and Semimetals, Vol. 59A, editado por A. Kost y E. Garmire, Academic Press, Boston 1999.

[4] J. Shah, “Espectroscopia ultrarrápida de semiconductores y nanoestructuras semiconductoras”, serie en ciencias de estado sólido 115, Springer Verlag, Berlín (1996) . \

[5] E. O. Goebel, “Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors”, en Avances en Física del Estado Sólido 30, pp. 269 — 294 (1990).

[6] W. H. Knox, R. L. Tenedor, M. C. Downer, D. A. B. Miller, D. S. Chemla y C. V. Shank, “Excitación de femtosegundos de pop- ulaciones de portadores no térmicos en pozos cuánticos de GaAs”, Phys. Rev. Lett. 54, pp. 1306 — 1309 (1985).

[7] J. L. Oudar, D. Hulin, A. Migus, A. Antonetti, F. Alexandre, “Subpi- cosegundo Quemadura de Agujeros Espectrales Debido a Portadores Fotoexcitados No Termalizados en GaAs”, Phys. Rev. Lett. 55, pp. 2074 — 2076 (1985).

[8] W. H. Knox, C. Hirlimann, D. A. B. Miller, J. Shah, D. S. Chemla y C. V. Shank, “Dinámica de femtosegundos de excitones excitados resonantemente en pozos cuánticos de GaAs a temperatura ambiente”, Phys. Rev. Lett. 56, 1191 — 1193 (1986).

[9] G. L. Witt, R. Calawa, U. Mishra, E. Weber, Eds., “Baja temperatura

(LT) GaAs y materiales relacionados”, 241, Pittsburgh, (1992).

[10] R. Fluck, I. D. Jung, G. Zhang, F. X. Kärtner, y U. Keller, “Absorbedor saturable de banda ancha para generación de pulsos de 10 fs”, Opt. Lett. 21, 743- 745 (1996).

[11] I. D. Jung, F. X. Kärtner, N. Matuschek, D. H. Sutter, F. Morier- Genoud, Z. Shi, V. Scheuer, M. Tilsch, T. Tschudi, U. Keller,” Espejos absorbedores saturables semicono-ductores que soportan pulsos sub-10 fs,” Appl. Phys. B 65, pp. 137-150 (1997).

[12] E. R. Thoen, E. M. Koontz, M. Joschko, P. Langlois, T. R. Schibli, F. X. Kärtner, E. P. Ippen, y L. A. Kolodziejski, “Absorción de dos fotones en espejos absorbentes saturables semiconductores”, Appl. Phys. Lett. 74, 3927- 3929, (1999).

[13] P. Langlois, M. Joschko, E. R. Thoen, E. M. Koontz, F. X. Kärtner, E. P. Ippen, y L. A. Kolodziejski, “Dinámica ultrarrápida de alta fluencia de espejos absorbentes saturables semiconductores”, Appl. Phys. Lett. 75, 3841- 3483, (1999).

[14] T. R. Schibli, E. R. Thoen, F. X. Kaertner, E. P. Ippen, “Supresión de bloqueo de modo Q-switching y ruptura en múltiples pulsos por absorción saturable inversa”, App. Phys. B 70, 41-49 (2000).

[15] J. Aus der Au, D. Kopf, F. Morier-Genoud, M. Moser y U. Keller, “60- fs pulsos de un láser Nd:vidrio bombeado por diodos”, Opt. Lett. 22, 207-309 (1997).

[16] F.X. Kärtner, J. A. d. Au, U. Keller, “Bloqueo de modo con absorbedores saturables lentos y rápidos- Cuál es la diferencia”,. Sel. Arriba. Electrón cuántico. 4, 159 (1998).

[17] B. C. Collings, K. Bergman, W. H. Knox, “Solitones verdaderamente fundamentales en un láser Cr4+:YAG de cavidad corta bloqueada en modo pasivo”, Opt. Lett., 22,1098-1100 (1997).